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| Anpassung: | Verfügbar |
|---|---|
| Kundendienst: | Online-Service |
| Anwendung: | Laborbedarf |
Lieferanten mit verifizierten Geschäftslizenzen
Geprüfter Lieferant Von einer unabhängigen externen Prüfstelle geprüft
Tragbarer All-Auto & High Throughput Raman Analyzer DTR8000
Funktion:| Einzeln Wellenlänge |
Modell | Anregung Wellenlänge /nm |
Laserleistung /mW |
Wellenlänge Bereich |
Resolutio n/cm-1 |
| DTR8000-633 | 633 | 50 | 200 ~ 3500 | 3-6 | |
| DTR8000-785 | 785 | 500 | 200~ 3500 | 3 ~ 8 | |
| DTR8000-1064 | 1064 | 500 | 200~2600 | 7-12 | |
| DTR8000-830 | 830 | 500 | 200- 3500 | 3 ~ 8 | |
| Doppelt Wellenlänge |
DTR8000-785 + 1064 | 785+1064 | 500 | 200-3500 | 3 ~ 8 |
| 500 | 200-2600 | 7-12 | |||
| DTR8000-532+633 | 532+633 | 100 | 200 -3700 | 5-7 | |
| 50 | 200-3500 | 3-6 | |||
| DTR8000-532+1064 | 532+1064 | 100 | 200 -3700 | 5-7 | |
| 500 | 200-2600 | 7-12 | |||
| DTR8000-532+785 | 532+785 | 100 | 200 -3700 | 5-7 | |
| 500 | 200-3500 | 3 ~ 8 | |||
| DTR8000-633 + 1064 | 633+1064 | 50 | 200-3500 | 3-6 | |
| 500 | 200-2600 | 7-12 |
| Modell | DTR8000-532nm | DTR8000-633nm | DTR8000-785nm | DTR8000-830nm | DTR8000-1064nm | |
| Schnittstelle | USB 2,0 | USB 2,0 | USB 2,0 | USB 2,0 | USB 2,0 |
| Integralzeit | 1ms - 120s | 1 ms -64s | 4ms - 120s | 4ms - 120s | 4ms - 120s |
| Spannung | AC 220V (+/-5%) | AC 220V (+/-5%) | AC 220V (+/-5%) | AC 220V (+/-5%) | AC 220V (+/-5%) |
| Arbeitstemperatur | -10~40ºC | -10~40ºC | -10~40ºC | -25~50ºC | -10~40ºC |
| Arbeiten luftfeuchtigkeit |
< 95 % | < 95 % | < 95 % | < 95 % | < 95 % |
| GRÖSSE (L*B*H) (Mm) |
800*500*300 | 800*500*300 | 800*500*300 | 800*500*300 | 800*500*300 |
| Kanäle | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| Präzisionsführung | 0,625pm | 0,625pm | 0,625pm | 0,625pm | 0,625pm |
| Gewicht | 27 Kg | 26 Kg | 25kg | 25 Kg | 27kg |
| Zuverlässigkeit | |||||
| Optische Stabilität | σ/μ < 0,5 % (KINDERBETT 8 Stunden) |
σ/μ < 0,5 % (KINDERBETT 8 Stunden) |
σ/μ < 0,5 % (KINDERBETT 8 Stunden) |
σ/μ < 0,5 % (KINDERBETT 8 Stunden) |
σ/μ < 0,5 % (KINDERBETT 8 Stunden) |
| Temperatur Stabilität |
Shift < 1 cm-1 (10 40ºC) |
Shift < 1 cm-1 (10 40ºC) |
Shift < 1 cm-1 (10 40ºC) |
Shift< 1 cm-1 (10- 40ºC) |
Shift < 1 cm-1 (10 40ºC) |
| Intensität Variation (In 5 ~ 40ºC) |
<±5 % | <±5 % | <±5 % | <±5 % | <±5 % |
| Optisch | |||||
| Wellenlänge (Cm-1) |
200-3700 | 200-2700 | 250-2700, 200-3500.200- 4200 Angepasst |
200-2700 | 200-2600 |
| Auflösung (cm- L 1, S. |
8 | 10 | 6, 8, 10 | 6 | 13 |
| SNR | >1500:1 | >3000:1 | >3000:1 | >3000:1 | >3000:1 |
| Detektor | |||||
| Modell | TE-gekühlter CCD | TE-gekühlter CCD | TE-gekühlter CCD | TE-gekühlter CCD | Hohe Empfindlichkeit 512 Pixel InGaAs CCD |
| Die Gekühlte | -10ºC | -10ºC | -10ºC | -10ºC | -20ºC |
| Erfassungsbereich | 200-1100 nm | 200-1100 nm | 200-1100 nm | 200-1180 nm | 900-1700 nm |
| Dynamikbereich | 50000: 1 | 10000: 1 | 50000: 1 | 30000: 1 | 80000: 1 |
| Licht | |||||
| Zentral Wellenlänge |
532nm±0,5nm | 633nm±0,5nm | 785nm±0,5nm | 830 nm±0,5nm | 1064±0,5nm |
| HBW | ≤ 0,1 nm | ≤ 0,1 nm | 0,08 nm | 0,1 nm | 0,1 nm |
| Maximal Leistung |
≥100 mW | ≥100 mW | ≥500 mW | ≥500 mW | ≥500 mW |
| Stabilität der Stromversorgung | σ/μ <±0,5 % | σ/μ <±0,5 % | σ/μ <±0,2 % | σ/μ <±0,2 % | σ/μ <±0,2 % |
| Mikrosonde | |||||
| Arbeiten Entfernung |
6 mm | 6 mm | 6 mm | 6 mm | 6 mm |
| Widerstand | AD>8 | AD>8 | AD>8 | AD>8 | AD>8 |
| ENTFÄLLT | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
| Blende | 7mm | 7mm | 7mm | 7mm | 7mm |
| Plattform | Android | ||||
| Netzwerk | WIFI, 4G (individuell) | ||||
